Описание
Построение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, определение контактной разности потенциалов невырожденного p-n-перехода.
Необходимые источники сигналов и измерительные приборы входят в состав установки.
Построение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, определение контактной разности потенциалов невырожденного p-n-перехода.
Необходимые источники сигналов и измерительные приборы входят в состав установки.
Варианты комплектаций | Лабораторная установка «Изучение электронно-дырочного перехода в полупроводниках» ЭиМ-М-Л15 |
---|